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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
35
读取速度,GB/s
16.2
15.0
写入速度,GB/s
9.7
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2841
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
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