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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
48
读取速度,GB/s
16.2
10.2
写入速度,GB/s
9.7
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2190
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
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