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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
49
读取速度,GB/s
16.2
10.9
写入速度,GB/s
9.7
8.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
2427
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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