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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
比较
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
总分
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
总分
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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需要考虑的原因
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
34
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
32
读取速度,GB/s
16.2
18.6
写入速度,GB/s
9.7
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2636
3217
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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