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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.0
15.3
写入速度,GB/s
12.5
10.2
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3282
2706
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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