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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
16.9
15.7
写入速度,GB/s
12.0
12.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2517
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
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