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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 -16% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
25
读取速度,GB/s
16.9
16.2
写入速度,GB/s
12.0
11.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2909
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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