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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
36
读取速度,GB/s
16.9
16.0
写入速度,GB/s
12.0
12.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3071
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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