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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
19
读取速度,GB/s
16.9
20.7
写入速度,GB/s
12.0
16.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3735
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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