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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
36
读取速度,GB/s
16.9
15.1
写入速度,GB/s
12.0
12.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2871
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
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