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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
16.9
17.4
写入速度,GB/s
12.0
13.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3343
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
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