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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
17.8
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3403
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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