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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
16.9
14.6
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2959
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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