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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
16.2
写入速度,GB/s
12.0
13.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3215
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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