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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
13.8
写入速度,GB/s
12.0
9.0
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2553
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
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