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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
17.9
写入速度,GB/s
12.0
15.1
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3443
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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