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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
17.1
写入速度,GB/s
12.0
12.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3467
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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