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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
20
读取速度,GB/s
16.9
18.2
写入速度,GB/s
12.0
14.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3359
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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