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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
16.9
18.9
写入速度,GB/s
12.0
13.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3437
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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