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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
16.9
18.4
写入速度,GB/s
12.0
15.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3562
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3B8G2D1600K11S 8GB
Corsair CMSX8GX3M1A1600C10 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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