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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
16.9
18.6
写入速度,GB/s
12.0
15.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3825
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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