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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
16.9
18.2
写入速度,GB/s
12.0
14.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3496
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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