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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.3
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
15.5
写入速度,GB/s
12.0
13.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3131
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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