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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
24
读取速度,GB/s
16.9
20.2
写入速度,GB/s
12.0
15.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3744
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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