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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
16.9
18.8
写入速度,GB/s
12.0
14.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3576
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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