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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
64
读取速度,GB/s
16.9
17.3
写入速度,GB/s
12.0
8.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2067
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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