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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Inmos + 256MB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
16800
左右 1.14% 更高的带宽
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
16.9
11.5
写入速度,GB/s
12.0
9.1
内存带宽,mbps
19200
16800
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2601
2318
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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