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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
101
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
101
读取速度,GB/s
16.9
12.1
写入速度,GB/s
12.0
6.7
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
1382
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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