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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
16.9
16.0
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2371
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
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