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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
46
读取速度,GB/s
16.9
19.1
写入速度,GB/s
12.0
15.3
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3168
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
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