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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
16.9
14.8
写入速度,GB/s
12.0
8.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2665
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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