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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
39
读取速度,GB/s
16.9
16.5
写入速度,GB/s
12.0
10.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2680
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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