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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
51
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
51
读取速度,GB/s
16.9
10.9
写入速度,GB/s
12.0
8.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2286
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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