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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
29
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
22
读取速度,GB/s
16.9
18.1
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3172
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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