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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
49
读取速度,GB/s
16.9
8.8
写入速度,GB/s
12.0
8.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2331
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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