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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
48
读取速度,GB/s
16.9
11.5
写入速度,GB/s
12.0
8.3
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2453
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
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