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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
46
读取速度,GB/s
16.9
11.6
写入速度,GB/s
12.0
9.1
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2571
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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