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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
40
读取速度,GB/s
16.9
14.8
写入速度,GB/s
12.0
11.2
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2709
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
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