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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
56
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.7
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
56
读取速度,GB/s
16.9
16.4
写入速度,GB/s
12.0
13.7
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2761
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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