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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
16.9
10.0
写入速度,GB/s
12.0
6.2
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
1693
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
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