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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
16.9
17.0
写入速度,GB/s
12.0
12.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2379
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
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