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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 -12% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
26
读取速度,GB/s
16.9
13.2
写入速度,GB/s
12.0
14.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3068
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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