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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
61
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
61
读取速度,GB/s
16.9
17.6
写入速度,GB/s
12.0
8.5
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2113
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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