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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
29
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
21
读取速度,GB/s
16.9
17.6
写入速度,GB/s
12.0
12.2
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3126
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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