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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
9.4
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2364
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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