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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
13.2
20.6
写入速度,GB/s
9.4
20.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
4029
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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