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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 9905701-006.A00G 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
13.2
11.1
写入速度,GB/s
9.4
13.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2848
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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