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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
16.1
22.3
写入速度,GB/s
8.3
16.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1810
3697
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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