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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
总分
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
17.9
16.2
写入速度,GB/s
14.7
13.3
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3705
2944
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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