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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
45
读取速度,GB/s
13.6
19.7
写入速度,GB/s
9.4
15.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
3240
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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